一、DDR3特性介绍
相比DDR2而言，DDR3内存拥有更高的频率以及更高的带宽，这主要得益于DDR3内存的预取机制。DDR3的预取机制也从DDR2的4bit预取升级为8bit预取。这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，当DRAM内核工作频率为200MHz时，接口频率已经达到了1600MHz，这样一来无疑极大的提升内存的频率。
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DDR3相比DDR2还扔有更低的工作电压，DDR3内存采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能，除了能获得更好的的性能外，还更为省电。
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DDR2 |
DDR3 | |
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电压 VDD/VDDQ |
1.8V/1.8V (+/-0.1) |
1.5V/1.5V (+/-0.075) |
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I/O接口 |
SSTL_18 |
SSTL_15 |
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数据传输率(Mbps) |
400～800 |
800～2000 |
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容量标准 |
256M～4G |
512M～8G |
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Memory Latency(ns) |
10～20 |
10～15 |
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CL值 |
3/4/5/6 |
5/6/7/8 |
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预取设计(Bit) |
4 |
8 |
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逻辑Bank数量 |
4/8 |
8/16 |
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突发长度 |
4/8 |
8 |
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封装 |
FBGA |
FBGA |
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引脚标准 |
240Pin DIMM |
240Pin DIMM |
从上面的规格对照表可以看到，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高，DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。
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DDR3还增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。主要是由于DDR3的预取为8bit，其突发传输周期（BL，Burst Length）固定为8，为了适应DDR2和早期的DDR架构的系统下BL=4的模式而推出的。此外，DDR3还新增了重置（Reset）功能，新增ZQ校准功能，点对点连接（Point-to-Point，P2P）设计等。
规格上有所创新，而在实际性能方面，DDR3的给系统带来的带宽的提升还是显而易见的。当然，目前的DDR3内存多数是1066级别的产品，与DDR2 800实际性能相差不多， 但相信随着DDR3的普及，更高频率产品的加入，其优势也会慢慢体现出来。这种情况与此次DDR2接替DDR比较相似，DDR2 667的实际性能与DDR 400也是不分伯仲。
