【IT168厂商动态】全球存储行业领导者三星电子今日宣布，已率先开发出下一代“8GbLPDDR4移动DRAM”。三星电子新开发的超高速8Gb DRAM可为全球移动厂商提供最高集成度、非常好的性能、以及最低功耗的新一代解决方案。在延长电池寿命的同时，使消费者享受到更快更便捷的操作体验，以及清晰度更高的屏幕画质。

　　“移动DRAM市场近年来正在迅速扩大，并有希望成为在整个DRAM市场中占最大比重的分支。我们希望此次全新推出的LPDDR4DRAM，能够对全球移动DRAM市场的持续发展做出贡献”， 三星电子存储器事业部战略营销部副社长全永铉表示，“我们将一如既往地领先业界同仁继续推出非常先进的新一代移动DRAM芯片和解决方案，以便全球移动厂商适时推出革新性移动设备，为消费者提供最大便利。”

　　全新的8Gb LPDDR4 DRAM采用非常先进的20纳米级工艺，由4个容量为8Gb 的芯片组成总容量为4GB的DRAM产品，能为客户提供当今市面上非常好的的性能。同时，每个冲模有1GB的容量，达到了现在DRAM市场上最高的集成度。

　　值得一提的是，此次开发的8Gb LPDDR4 DRAM采用低电压摆幅中断逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)I/O接口。该标准由三星倡导，并已被固态技术协会(JEDEC，Joint Electron Device Engineering Council，Solid State Technology Association)指定为LPDDR4 DRAM的标准规范。在新的互连介面下，芯片的数据传输速度达到3200Mbps，为目前量产中的20纳米级LPDDR3 DRAM的两倍。由于该产品同时采用了1.1伏低耗电架构，在性能大幅提高的同时，可节省40%的功耗。与最快的LPDDR3和DDR3存储器相比，采用LPDDR4的产品，其系统性能将提高50%。借此，三星电子将进一步专注于清晰度高出Full HD 4倍的超高画质UHD大屏幕智能手机、平板电脑、超薄笔记本，以及高性能网络服务器等高端市场。

　　在移动DRAM市场，三星电子在4Gb和6Gb LPDDR3 DRAM领域占有主导地位。继今年11月份在业界率先推出世界最小最薄的3GB LPDDR3产品之后，三星电子将在明年起正式供应8Gb LPDDR4 DRAM，预计此举将推动大容量DRAM市场占比迅速扩大。

　　今后，三星电子计划进一步扩大世界最小型20纳米级大容量(8Gb/6Gb/4Gb)移动DRAM的产品阵容，在保持产品竞争优势的同时，继续抢占高端市场。

　　三星绿色存储器主页www.samsung.com/GreenMemory

　　[参考资料]三星电子大容量移动DRAM量产历程

　　2009年 256MB (50纳米级 1Gb MDDR, 400Mbps)

　　2010年 512MB (40纳米级 2Gb MDDR,400Mbps)

　　2011年 1GB/2GB (30纳米级 4Gb LPDDR2, 1,066Mbps)

　　2012年8月 2GB (30纳米级 4Gb LPDDR3, 1,600Mbps)

　　2013年4月 2GB (20纳米级 4Gb LPDDR3, 2,133Mbps)

　　2013年7月 3GB (20纳米级 4Gb LPDDR3, 2,133Mbps)

　　2013年11月 3GB (20纳米级 6Gb LPDDR3, 2,133Mbps)

　　预计2014年上半年 4GB (20纳米级8Gb LPDDR4, 3,200Mbps)