4月2日，Intel 5位院士的座谈上，马博高级院士透露了Intel在High-K技术研究上的相关细节。如果大家记得，在去年45nm新技术发布时，High-K栅介质金属栅极工艺的介绍中曾谈到，Intel早在2004年的实验中发现了目前应用于45nm Penryn产品的High-K栅介质材料铪的氧化物。
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马博透露，其实45nm Penryn的辉煌在2004年的实验阶段并不是如此乐观。在当年，Intel不可能拿45nm工艺来实现High-K介质的实验，当时Intel是在90nm工艺下完成的实验。同时，Intel甚至没有完成在High-K下三极管的样品，在2004年Intel仅是制作了P型和N型独立的MOS管。马博认为，High-K项目能够有今天的成就延续了摩尔定律证明了Intel团队挑战困难的能力。同时，High-K在2004年试验品的基础上被确定为Intel发展方向，直到2007年最终实现High-K Metal Gate 45nm Penryn，其间是存在很大的风险和挑战的。
