【IT168 资讯】日本研发企业Unisantis与新加坡微电子学院宣布签署合作协议，双方将在未来两年内共同研发新型的3D硅晶体管，该项目的领衔人是Unisantis首席技术官Fujio Masuoka，他是闪存技术的发明者。
新的3D晶体管被称为“环绕栅极晶体管”(Surrounding Gate Transistor，SGT)，以垂直放置的硅柱为核心，周围环绕着存储单元、电气触点以及其他一些尚未命名的部件。与目前水平放置的晶体管架构相比，SGT将大大减少电子流动的距离、降低发热量、缩减成本。
就晶体管面积和处理速度方面而言，SGT还将大大延伸硅半导体技术的发展，将理论极限推迟三十年以上。公司表示，对于新一代集成电路芯片的研发来说，这种改进是非常必要的，它将充分满足日趋强大和复杂的IT产品和计算网络所需要的计算能力。
双方合作的目标是将其速度提升至20-50GHz，这是目前水平的十多倍。
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| 签署协议 |
