【IT168 资讯】Intel在2006年的9月份实现了90nm向65nm的转变，Intel表示预计明年将实现从65nm到45nm的转变，但是从数据来看，这个过程将会非常缓慢。

　　根据Intel的路线图，明年第一季度45nm产品只占全部产量的3%。桌面处理器方面，在Intel明年第一季度生产的处理器中，45nm双核Wolfdale的比例仅仅只有0.13％，四核Yorkfield更是不过0.03％，二者合计才0.16％。相比双核而言，四核的转换会更快一些，预计今年Q4四核65nm将占6%，明年Q1则只有3%。

　　在45nm工艺上，Intel将采用“high-k”和“金属栅极”工艺，用更高介电常数的金属栅极取代传统的低介电常数(low-k)的二氧化硅栅极，从而提高晶体管速度、降低转换能耗、减少漏电。

　　对于AMD早已采用SOI(绝缘硅)技术，Intel表示其成本过高，带来的性能提升有限，所以他们没有太大兴趣，不过32nm时代的“三栅极晶体管”技术有可能从SOI中获益，因此Intel会在32nm的时候考虑采用SOI技术。

　　另外Intel计划在2011-2012年将硅晶圆尺寸从现有的300mm加大到450mm，从而可以在一块晶圆上切割出更多的处理器芯片，降低生产成本。